长江存储、长鑫存储首次联手:剑指HBM内存!

发布于 2025-09-03 12:21:37 353

9月3日消息,毫无疑问,中国一直在努力推进国产化HBM内存,毕竟这对于AI计算是至关重要的。

根据DigiTimes的最新报道,长江存储正积极准备进入DRAM内存领域,并寻求与长鑫存储合作,共同攻克HBM内存技术难关。

报道称,双方堪称天作之合,因为长鑫存储有扎实的DRAM内存技术基础,长江存储则有领先的Xtacing晶栈工艺,理论上也可以用于内存的键合与封装,尤其是随着HBM的不断迭代,混合封装是提升带宽、改进散热的关键所在。

有关报告显示,长鑫存储在HBM2上取得了重大突破,已经给客户送样,预计明年年中可小规模量产。

同时,长鑫存储出还在积极推进HBM3,预计最快2026-2027年即可搞定,甚至能同步做到HBM3E。

还有报道称,中国厂商正在HBM技术上联合起来,比如长江存储、武汉新芯开发封装技术,通富微电子则在组装环节贡献力量。

相比SK海力士、三星、美光三大原厂,中国HBM技术虽然差距依旧很大,但追赶的速度非常快。

长江存储、长鑫存储首次联手:剑指HBM内存!

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