美国投行给中国光刻机落后ASML 20年原因：缺乏制造先进光刻扫描仪能力

9月3日消息，昨天美国知名的投行高盛给出观点称，中国先进芯片制造业落后西方技术20年。

投资银行高盛认为，中国光刻机公司至少落后美国同行20年。光刻技术是半导体制造的几个环节之一，也是阻碍中国制造高端芯片的唯一瓶颈。最先进的光刻机由荷兰公司ASML制造，由于其依赖美国原产的零部件，美国政府有权限制其对华销售。

在高盛看来，美国对中芯国际施加制裁，限制其采购极紫外 (EUV) 芯片制造光刻机，这意味着中芯国际只能用更旧的工艺以更高成本的方式生产7nm芯片。

这份报告也是引发了关注，随后他们也给出了上述观点的核心原因，中国缺乏制造先进光刻扫描仪的能力，因为它们需要的零部件在全球范围内生产，主要在美国和欧洲。

光刻是芯片制造工艺中的几个步骤之一。它涉及将芯片设计从光掩模转移到硅晶圆上。高端设备，例如ASML的EUV和高数值孔径EUV扫描仪，能够在硅晶圆上转移更小的电路图案，从而提高芯片性能。图案转移后，会进行蚀刻，形成最终布局，并在整个制造过程中沉积其他材料并清洁晶圆。

因此，光刻技术对于在晶圆上复制精细电路至关重要，这意味着光刻设备是芯片制造过程中的瓶颈。

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