韩系双雄加速HBM4E开发 2027年将攻占40%市场

11月14日消息，据媒体报道，三星与SK海力士已将目光投向更远代的HBM4E，正加紧布局以应对下一代高端存储竞争。随着新一代AI加速器首次引入基于HBM4的定制化设计，HBM在提升性能与降低延迟方面的作用愈发关键。

进入HBM4E阶段后，产业有望进一步从标准化产品转向定制化解决方案，核心部件将按客户需求进行专门设计。这一转变预计将成为影响供应商市场竞争格局的关键因素。

目前，三星与SK海力士均计划于2026年上半年完成HBM4E的开发。由于搭载该内存的AI加速器预计将在2027年上市，两家公司需在2026年下半年完成质量验证，因此正全力提速研发进程，以确保产品如期推进。

在定制化HBM设计中，基础裸片可根据客户特定需求进行设计与制造。这对DRAM厂商的设计能力与生产工艺提出更高要求，唯有具备快速响应实力的企业才能在此领域占据先机。

从HBM4开始，三星已采用自家代工生产基础裸片，这或许构成其竞争优势的基础。SK海力士虽同样转向代工模式，但选择与台积电合作共同开发HBM产品。而美光出于成本考虑，在HBM4阶段仍沿用DRAM工艺生产基础裸片，计划到HBM4E再转由台积电代工。

有分析指出，HBM4E有望在两年内成为HBM市场的主流产品，预计到2027年将占据约40%的市场份额。

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