三星2nm工艺细节公布：能效提升8% 良品率不足60%

11月18日消息，据媒体报道，三星电子首次公布2nm工艺量产进展及技术指标：相较3nm制程，新工艺实现性能提升5%、能效优化8%、芯片面积缩减5%。

尽管提升幅度低于业界预测，但标志着GAA（全环绕栅极）晶体管架构在更先进节点的持续演进。

据悉，三星首款采用2nm工艺的SoC为自研Exynos 2600，传闻当前良品率介于50%-60%。该芯片的量产效能将直接验证三星代工技术实力，尤其在高难度10nm以下制程中，良品率突破已成为争夺客户的核心竞争力。

目前，全球晶圆代工市场主要由台积电占据，市场份额70.2%额稳居第一。虽然三星排在第二，但是市场占有率仅为7.3%，相差了接近十倍。

三星已经为晶圆代工业务设定新目标，希望通过提高2nm工艺的良品率以及与利润丰厚的客户建立长期业务关系，在两年内实现盈利，并占据20%的市场份额。

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