三星计划调整存储芯片产能：将NAND闪存产线转向DRAM

11月21日消息，据媒体报道，三星电子正启动存储芯片产能的重大战略调整，计划将韩国平泽与华城工厂的部分NAND闪存产线转换为DRAM生产线。

这一举措源于市场需求的显著分化——业内消息显示，三星对NAND闪存市场态度趋于谨慎，而对DRAM需求则采取积极应对策略。

此前行业报告已指出，包括三星、SK海力士、铠侠和美光在内的全球四大NAND厂商，均计划在2025下半年削减NAND产量，此举将进一步推高闪存价格。

当前DRAM市场正经历剧烈波动，价格快速攀升。部分服务器客户为获取DDR5模块甚至愿意支付70%的溢价，但仍面临供应短缺困境。

有科技公司预判，DRAM紧缺态势可能延续数年，已提前就2027年的产能分配展开谈判。

值得注意的是，三星在收缩韩国本土NAND产能的同时，拟通过提升中国西安工厂的产量实现战略平衡，确保全球NAND供应链的稳定。

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