宣称2nm技术良率大突破：三星再提超越台积电目标！

10月22日消息，据报道，三星电子近期在先进半导体技术领域展现出强劲的信心，特别是对其2纳米GAA制程的进展高度乐观。

报道称，在由总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的一次半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给出了极高的评价。

此前几年，三星晶圆代工业务的表现一直不如人意，市场份额被台积电大幅领先，但目前情况似乎有所转变。

报告指出，三星已将2纳米GAA的良率目标从原定的50%大幅提高至70%，并计划在2025年底实现这一目标。

一位知情人士透露，三星高层在会议上的言论可以解读为：公司正顺利实现其预期的2纳米制程良率和芯片性能目标。

Song Jae-hyuk更是暗示了雄心壮志，希望借助2纳米GAA节点的成功，最终在全球晶圆代工市场中夺取第一的位置。 不过他也坦言，在追赶台积电以及应对技术和人力挑战方面，公司需要政府提供强有力的支持。

三星首款采用2纳米GAA技术的芯片将是其自研Exynos 2600，初步的内部测试结果显示，Exynos 2600性能超越了竞争对手苹果的A19 Pro和高通的第五代骁龙8至尊版。

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